真空蒸發(fā)鍍膜法生產(chǎn)太陽膜過程

現(xiàn)在市面上好的太陽膜其制作方法多半為以下兩種：一種是真空蒸發(fā)鍍膜法。一種是磁控濺射法。

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1.真空蒸發(fā)鍍膜法就是在1.3×10-2~1.3×10-3Pa(10-4~10-5Torr)的真空中以電阻加熱鍍膜材料，使它在極短的時(shí)間內(nèi)蒸發(fā)，蒸發(fā)了的鍍膜材料分子沉積在基材表冇上形成鍍膜層。真空鍍膜室是使鍍膜材料蒸發(fā)的蒸發(fā)源，還有支承基材的工作架或卷繞裝置都是真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的主要部分。鍍膜室的真空度，鍍膜材料的蒸發(fā)熟練地，蒸發(fā)距離和蒸發(fā)源的間距，以及基材表面狀態(tài)和溫度都是影響鍍膜質(zhì)量的因素。

2. 磁控濺射法是指電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，最終沉積在基片上。

磁控濺射法與蒸發(fā)法相比，具有鍍膜層與基材層的結(jié)合力強(qiáng)，鍍膜層致密，均勻等優(yōu)點(diǎn)。真空蒸發(fā)鍍膜法需要使金屬或金屬化合物蒸發(fā)氣化，而加熱溫度又不能太高，否則氣相蒸鍍金屬會(huì)燒壞被塑料基材，因此，真空蒸鍍法一般僅適用于鋁等熔點(diǎn)較低的金屬源，是目前應(yīng)用較為廣泛的真空鍍膜工藝。相反，噴濺鍍膜法利用高壓電場激發(fā)產(chǎn)生等離子體鍍膜物質(zhì)，適用于幾乎所有高熔點(diǎn)金屬，合金、非金屬及金屬化合物鍍膜源物質(zhì)，如鉻，鉬，鎢，鈦，銀，金等。而且它是一種強(qiáng)制性的沉積過程，采用該法獲得的鍍膜層與基材附著力遠(yuǎn)高于真空蒸發(fā)鍍法，鍍膜層具有致密，均勻等優(yōu)點(diǎn)，加工成本也相對較高。

目前擁有磁控濺射技術(shù)的太陽膜生產(chǎn)廠家有：美國韶華科技公司(Southwall)、美國貝卡爾特公司(Bekaert)、美國CPFilms公司。利用磁控濺射技術(shù)所生產(chǎn)的太陽膜具有膜層致密、均勻，有良好的透光性和優(yōu)良的光譜選擇性能，使其能夠?yàn)檐囍鲙硎孢m、安全的行車環(huán)境。